完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究

• 作者: 张珍 胜献雷 郑庆荣 黄强
• 来源期刊: 中国科学院大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿磁电阻 自旋过滤 Ⅰ-Ⅴ曲线 自旋注入效率(SIE)
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 数学与物理学
• 页码范围: 458-464
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2020.04.004

摘要

基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件.该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结.分别计算小偏压范围(0～20 mV)和大偏压范围(0～0.6 V)下的自旋极化电流曲线.发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100％,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100％,具有很强的稳定性.在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100％不变.最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄强	中国科学院大学物理科学学院	29	437	10.0	20.0
2	张珍	中国科学院大学物理科学学院	3	139	1.0	3.0
3	胜献雷	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	1	0	0.0	0.0
4	郑庆荣	中国科学院大学物理科学学院	5	0	0.0	0.0