复合表面活性剂在铜CMP中减少缺陷的作用

• 作者: 刘玉岭 张辉辉 曾能源 王聪 王辰伟 罗翀
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 复合表面活性剂 划伤缺陷 粗糙度 大颗粒数量 润湿性 化学机械抛光(CMP)
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 396-403
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.011

摘要

极大规模集成电路(GLSI)制造中化学机械抛光(CMP)过程中会产生很多缺陷,其会对产量和可靠性产生不利影响.研究了复合表面活性剂对划伤缺陷数量减少的作用.使用大颗粒测试仪表征抛光液中颗粒尺寸的变化,使用接触角测试仪表征抛光液的变化,通过原子力显微镜(AFM)和光学显微镜表征抛光后的铜片表面的划伤缺陷.实验结果表明,通过复配两种不同的表面活性剂,可以降低磨料大颗粒数量从25万级到15万级,实现划伤缺陷数量从4084降低至51,表面粗糙度从4.66 nm降至0.447 nm.基于实验结果,研究并提出了复合表面活性剂影响大颗粒数量和表面润湿性,从而减少划伤缺陷的机理.对于提高工业生产晶圆的良品率具有一定参考.