电源调制电路在T/R组件中的应用与分析

• 作者: 余振坤 梁东东 罗川川 葛园园
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 电源调制 氮化镓 p-MOS调制 n-MOS调制 发射自激
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 雷达系统与技术
• 页码范围: 71-74
• 页数: 4页
• 分类号: TN957
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2020.02.014

摘要

简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在调制电压、电流和速度上优于p-MOS,但由于p-MOS电路简单,其在低功率应用中也被广泛使用.最后,对调制电路中出现阻尼振荡产生的原因进行分析,得到了通过调整外围参数进行优化的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛园园		6	15	3.0	3.0
2	余振坤		10	122	6.0	10.0