6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术

• 作者: 兰天平 周春锋 曹志颖 罗惠英 边义午
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 半绝缘单晶 单晶生长 垂直梯度凝固(VGF)法 垂直布里奇曼(VB)法
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 383-389
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.009

摘要

为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶.将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封.然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分.在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48％以上.基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4× 107 Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25％.通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	兰天平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	12	47	4.0	6.0
2	周春锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	25	3.0	5.0
3	边义午	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	0	0.0	0.0
4	曹志颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0
5	罗惠英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0