AlN对Mg-Al合金凝固过程影响机制的价电子理论研究

• 作者: 冀盛亚 张倩 张爱民 陶凯 韦佳宏 马秉馨
• 来源期刊: 河南工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: ALN EET 自洽键距差法 价电子结构 结合能
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 21-29
• 页数: 9页
• 分类号: TB31

摘要

采用固体与分子经验电子理论(EET)研究AlN对Mg-Al合金凝固组织的影响机理,建立了Mg、AlN晶体结构的计算模型,利用自洽键距差法(SCBLD)计算了Mg、AlN晶体的价电子结构与结合能。在此基础上,采用断键法计算了Mg、AlN晶体(0001)晶面的表面能,进而计算了Mg/AlN异质界面上的界面能。研究结果表明:Mg/AlN之间的界面能大于Mg自身均匀形核时的固/液界面能,因此,熔体中的Mg原子不能依附于AlN(0001)晶面进行生长,AlN对Mg-Al合金的细化效果不明显,这从电子层次上解释了AlN在Mg-Al合金凝固过程中的微观作用机制。