不同形貌磷化钴超级电容材料的制备与性能研究

• 作者: 暢璞 陶俊光 韩瑞祥
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化钴 超级电容器 纳米片 纳米花 电化学性能
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 18-25
• 页数: 8页
• 分类号: TG146|TM53
• 字数: 5371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14081/j.cnki.hgdxb.2020.01.002

摘要

利用水热合成与低温磷化法,通过改变原料与水热温度进行形貌控制,分别制备出磷化钴(CoP)纳米片与纳米花形貌的材料.结果表明,CoP纳米片与纳米花的最佳制备温度均为120℃.实验发现,磷化钴形貌对其电化学特性有着显著影响.对纳米片与纳米花形貌的磷化钴样品进行超级电容性能测试发现,在电流密度为1 A/g时测得的比电容分别为453.2 F/g与584.4 F/g.纳米花形貌的CoP不仅具有更高的比电容,其倍率稳定性也更加优异于纳米片形貌的CoP.在电流密度增加到20 A/g时,纳米花形貌的CoP的比电容仍能保留59.6％,达到347.8 F/g,表现出很好的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶俊光	河北工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
2	韩瑞祥	河北工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	暢璞	河北工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0