压接式IEGT芯片布局对其温升的影响

• 作者: 代思洋 王志强 肖磊石 赵耀
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: PP-IEGT 热特性 芯片布局 有限元
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电力电子前沿技术与应用
• 页码范围: 68-73
• 页数: 6页
• 分类号: TM46
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.1.68

摘要

压接式电子注入增强型门极晶体管PP-IEGT(press pack-injection enhanced gate transistor)封装内采用多芯片并联结构,芯片间的布局对器件温升与稳定性有着重要影响.在现有的对齐阵列布局下,芯片间严重的热耦合效应会导致器件结温较高,因此提出一种交错阵列的圆形布局.基于有限元热稳态仿真分析,对比了2种布局下的芯片温度分布,以及封装内各层组件的温度差异;同时,考虑不同功率损耗和外部散热条件的影响,对2种布局下各层组件温度变化进行了讨论.结果表明,提出的交错阵列布局可有效改善热耦合效应,芯片上的热量得到更好地耗散.此外,各芯片和器件整体的温度分布均匀性得到了提高,为更大电流参数PP-IEGT的芯片布局设计和稳定工作提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志强	大连理工大学电气工程学院	33	303	8.0	17.0
2	肖磊石	广东电网有限责任公司电力科学研究院	27	237	9.0	15.0
3	赵耀	大连理工大学电气工程学院	6	37	3.0	6.0
4	代思洋	大连理工大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0