MOCVD法制备BGaN薄膜

• 作者: 于佳琪 张宝林 张源涛 张立东 曹越 邓高强
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硼镓 金属有机物化学气相沉积 薄膜
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 357-363
• 页数: 7页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 2924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204104.0357

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上进行了BGaN薄膜的外延生长,研究了生长厚度、温度、压力和B/Ⅲ比等条件对BGaN薄膜中B组分的影响.X射线衍射测试结果表明,降低生长温度、压力以及增加B/Ⅲ比,更有利于提高BGaN薄膜中B的并入效率.在800℃、30 kPa及B/Ⅲ比为30％的生长条件下,制备的BGaN薄膜中B组分最高,为6.1％.