温度对半导体激光器退化的影响

• 作者: 杨鹏 王贵山 胡业荣
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 退化模式 特征参数 等效电路模型 加速退化试验
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 专题: 脉冲功率激光
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.202001007

摘要

采取等效电路模型仿真和加速退化试验相结合的方法研究温度对半导体激光器不同退化模式的影响规律.针对半导体激光器有源区退化和腔面退化进行分析,发现有源区退化会使半导体激光器阈值电流增大,而腔面退化会使半导体激光器斜率效率减小;进行了半导体激光器热特性建模与仿真,发现温度升高会使半导体激光器阈值电流增大;利用半导体激光器加速退化试验平台进行了半导体激光器加速退化试验.仿真与试验结果证明:温度升高会加剧半导体激光器腔面退化,而对有源区退化无显著影响.上述结论对进一步完善半导体激光器温度-退化仿真模型,研究温度对半导体激光器退化的作用机理和防护措施有积极作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨鹏	国防科技大学智能科学学院装备综合保障技术重点实验室	28	237	9.0	15.0
2	胡业荣	国防科技大学智能科学学院装备综合保障技术重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	王贵山	国防科技大学智能科学学院装备综合保障技术重点实验室	1	0	0.0	0.0