一种SiGe BiCMOS 140 GHz高增益功率放大器

• 作者: 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 高输出功率 D波段 高增益
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 32-35,40
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.75|TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.190179

摘要

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器.该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现.设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率.仿真结果表明,在120～160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm,功率附加效率为20％,功耗为220mW.