射频磁控溅射生长AlN∶Er薄膜及其光致发光

• 作者: 刘俊 刘彦良 吕伟 杨久旭 沈龙海 齐东丽
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 AlN∶Er 择优生长 品格扩张
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 172-177
• 页数: 6页
• 分类号: O471.4|O482.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY18100014

摘要

采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长了AlN∶Er薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜晶体取向和表面形貌进行了表征,并测量了薄膜的光致发光(PL)光谱.结果 表明:不同条件下的AlN∶ Er薄膜均以(002)晶面取向择优生长,在靶基距5 cm条件下得到了结晶度较好的AlN∶Er薄膜;与同条件下生长的AlN薄膜相比,AlN∶Er薄膜(002)晶面衍射峰的角度向小角度偏移了0.4°,晶格常数c值增大了0.005 nm.不同条件下生长的AlN∶Er薄膜表面大范围内均匀平坦,当靶基距从5 cm增大到6 cm时薄膜生长方式由层状生长转变为颗粒密堆积状生长.AlN∶Er薄膜在480,555和610 nm处均有较强的发光峰,分别来源于Er3+的4F7/2能级向基态4I15/2能级的间接激发跃迁、铝空位(VAl)向价带顶的跃迁和导带底向与氧有关的杂质能级(Io)间的跃迁,并且随着靶基距增大,薄膜在555和610 nm处的发光峰强度减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	齐东丽	沈阳理工大学理学院	10	11	1.0	3.0
3	吕伟	沈阳理工大学理学院	3	0	0.0	0.0
4	刘俊	沈阳理工大学理学院	2	0	0.0	0.0
5	杨久旭	沈阳理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	刘彦良	沈阳理工大学理学院	1	0	0.0	0.0