高密度多电平闪存信道参数估计算法

• 作者: 何瑞泉 韩国军
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 工学
• 关键词: NAND 持久性干扰 信道估计 欧几里得距离 阈值电压分布 凸优化 梯度下降 数据存储 存储可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 现代电子技术
• 页码范围: 41-46
• 页数: 6页
• 分类号: TN919.5
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.201912007

摘要

在NAND闪存中,数据的持久性干扰是NAND闪存信道的主要干扰源之一,会改变阈值电压的分布并降低闪存数据的可靠性.另外,LDPC译码性能非常依赖阈值电压分布,所以,有必要对闪存信道或阈值电压分布进行估计.为此,本文利用参数估计算法来估计阈值电压分布的均值和标准差提出一种NAND(non-volatile memory device)闪存阈值电压分布估计算法.首先,利用高斯混合模型对闪存信道进行建模,并把优化问题变成最小欧几里得距离问题.但是在闪存信道中,该优化问题不是凸问题.所以,本文结合闪存中持久性干扰的特点来对优化问题进行简化成凸优化问题.仿真实验显示所提的估计算法能够达到较高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩国军	广东工业大学信息工程学院	21	67	4.0	7.0
2	何瑞泉	广东工业大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0