界面调控VO₂薄膜金属–绝缘相变研究

• 作者: 吉彦达 杨强 杨浩
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 表面重构 斜切 a面蓝宝石 VO₂薄膜 MIT各向异性
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 168-175
• 页数: 8页
• 分类号: TB3

摘要

本文选取目前发现的能够在最接近室温的条件下产生金属–绝缘转变(MIT)的氧化物功能材料VO2薄膜为研究对象,探究表面重构的斜切a面蓝宝石基底对VO2薄膜结构与性质的调控作用。通过高温退火处理使朝[0001]方向斜切0?、1?、3?的a面蓝宝石基底表面重构,并用原子力显微镜观察到斜切基片重构后表面形成峰–谷形状的沟槽。使用脉冲激光沉积法在斜切基片上制备VO2薄膜,XRD表征显示成功制备了外延的VO2薄膜。为了精确表征朝[0001]方向的不同斜切角度的a面蓝宝石基片上VO2薄膜晶格常数的变化,分别在面内与面外进行了倒空间扫描并计算了VO2薄膜的晶格常数。倒空间结果表明斜切0?的基片为VO2薄膜引入应变。通过范德堡法测试了朝[0001]方向斜切基片上的VO2薄膜的电阻,朝[0001]方向斜切的基片上获得了高度应变的薄膜,随着相变温度的升高,调控了MIT的性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨浩	南京航空航天大学理学院	42	271	8.0	15.0
2	杨强	南京航空航天大学理学院	1	0	0.0	0.0
3	吉彦达	南京航空航天大学理学院	4	1	1.0	1.0