He离子辐照对石墨烯微观结构及电学性能的影响

• 作者: 刘波 张娜 林黎蔚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 石墨烯 He离子辐照 微观结构 电学性能
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 311-316
• 页数: 6页
• 字数: 3114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191344

摘要

本文采用5.4 keV不同剂量的He离子辐照单层石墨烯,利用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和半导体参数分析仪表征辐照前后石墨烯微观结构和电学性能变化.研究结果表明:随着辐照剂量增大,单层石墨烯的缺陷密度逐渐增加,当辐照剂量增至1.6×1013 He+/cm2,石墨烯开始由纳米晶结构向无定形碳结构转变,不断增多的缺陷致使石墨烯电导率持续降低,其电子输运机制也由玻尔兹曼扩散输运转变为跃迁输运;狄拉克电压(Vdirac)向正电压方向的偏移量随辐照剂量增大而增大,其主因是辐照缺陷和吸附杂质导致石墨烯P型掺杂效应增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	71	531	12.0	21.0
2	张娜	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	38	131	7.0	10.0
3	林黎蔚	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	5	6	1.0	2.0