基于三维模型的InGaP/GaAs HBT单粒子效应仿真

• 作者: 何忠名 吴立强 李旭红 温景超 王宇
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs异质结双极晶体管 三维模型 单粒子效应 重离子 瞬态脉冲电流
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 90-94
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2333字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.04.016

摘要

为全面评估航天型号用元器件的抗辐射性能,对InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的单粒子效应进行了仿真研究.首先,介绍了空间辐射环境中重离子诱发器件产生单粒子瞬态脉冲的机理.然后,建立了InGaP/GaAs HBT器件三维仿真模型,并利用蒙特卡罗方法模拟了不同能量的C、F、Cl、Br、I等重离子在器件中的射程和LET值.最后,基于ISE-TCAD仿真软件对器件的单粒子瞬态脉冲电流曲线进行了仿真和分析.结果表明:重离子在器件中产生的集电极瞬态脉冲电流可达几百微安,集电极瞬态脉冲电流与重离子的能量成反比,与离子的原子序数成正比.由此可知,InGaP/GaAs HBT器件对单粒子效应比较敏感,且对不同重离子的敏感程度不同.这可以为航天型号用元器件的设计选型和可靠性评估提供技术支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温景超		4	0	0.0	0.0
2	李旭红		3	0	0.0	0.0
3	吴立强		2	0	0.0	0.0
4	王宇		1	0	0.0	0.0
5	何忠名		2	0	0.0	0.0