低温CVD法制备石墨烯的研究进展

• 作者: 任壮 侯莹 刘培植 张华 王佳斌 章海霞 郭俊杰 闫晓丽
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 低温 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 193-208
• 页数: 16页
• 分类号: TQ127.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(20)60484-X

摘要

石墨烯是一种由sp2杂化碳原子组成的二维碳纳米材料.由于其特殊的性质,在世界范围内引起了广泛的关注和研究.化学气相沉积法(CVD)是制备石墨烯最有效、最常用的方法.然而,传统的CVD石墨烯生长温度非常高(1000℃),这不仅使得石墨烯制备成本高,而且限制了其在某些领域的应用.因此,低温下石墨烯的合成是目前研究者关注的焦点.前驱体类型(气态、液态、固态)和衬底类型(过渡金属、合金、介质衬底)是影响石墨烯合成温度的重要因素.本文将从以上几个方面对低温条件下CVD合成石墨烯的研究结果进行综述.