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摘要:
随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战.为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要.我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2 O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2 O3栅绝缘层对TFT器件的影响.其中,20 nm超薄Al2 O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×107的高开关比.同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性.实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性.最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益.
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文献信息
篇名 基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 a-IGZO薄膜晶体管 Al2O3栅绝缘层 原子层沉积 共源极放大器
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 451-460
页数 10页 分类号 TN321+.5
字数 4296字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20204104.0451
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张浩 上海大学机械工程与自动化学院 19 62 5.0 6.0
2 赵婷婷 上海大学机械工程与自动化学院 8 11 3.0 3.0
3 李俊 上海大学机械工程与自动化学院 13 27 3.0 4.0
4 郭爱英 上海大学机械工程与自动化学院 10 16 2.0 3.0
5 李痛快 上海大学机械工程与自动化学院 1 0 0.0 0.0
6 茅帅帅 上海大学机械工程与自动化学院 1 0 0.0 0.0
7 原理 上海大学机械工程与自动化学院 1 0 0.0 0.0
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a-IGZO薄膜晶体管
Al2O3栅绝缘层
原子层沉积
共源极放大器
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1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
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