基于数据访问计数的NAND闪存缓存管理算法

• 作者: 严华 李中单
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: NAND闪存 缓存管理 替换页选择 替换代价 访问计数
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 64-68,74
• 页数: 6页
• 分类号: TP316
• 语种: 中文

摘要

针对现有的NAND闪存缓存管理算法对缓冲区替换页选择和替换代价考虑不足,以及算法时间开销大的问题,提出基于数据访问计数的NANID闪存缓存管理算法.该算法首先考虑NAND闪存读写代价的不同以及数据访问频度的差异,对数据页进行冷干净、冷脏、热干净、热脏划分并分别采用LRU队列进行管理.然后,根据提出的数据访问计数策略计算数据页的访问计数值.最后,结合队列长度和数据页访问计数值给出了新的数据页替换策略.基于QEMU和Linux的仿真实验结果表明,与LRU、CF-LRU、LRU-WSR、CCF-LRU、LLRU等现有算法相比,所提算法能够有效降低写闪存次数,减少程序运行时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李中单	四川大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0
2	严华		4	5	1.0	2.0