集成电路失效定位技术现状和发展趋势

• 作者: 倪毅强 方建明 林晓玲 王有亮 陈选龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路(IC)失效定位 物理失效分析 电压衬度 光发射显微镜 热激光激发
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 329-337,370
• 页数: 10页
• 分类号: TN406|TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.001

摘要

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作.失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程.根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位.通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法.总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战.同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望.