片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式研究

• 作者: 丁亭鑫 张放 王波
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜电阻器 高温高湿 失效模式 长期可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 电子组装疑难工艺问题解析
• 页码范围: 118-121
• 页数: 4页
• 分类号: TN60
• 字数: 3583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2020.02.015

摘要

通过采用不同程度的高温高湿试验对片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式展开试验验证及研究分析.结果表明:片式厚膜电阻器在85℃,85％RH,10％RV,2000 h的试验条件下,水汽容易入侵片式厚膜电阻激光调阻切割槽处,在电阻内部形成并联电路,导致电阻的阻值下降,而在121℃,100％RH,0.21 MPa,10％RV的试验条件下,片式厚膜电阻器不仅会出现水汽入侵的情况,其G1玻璃上还可能会发生Bi元素的析出或者迁移,导致电阻内部G1玻璃的绝缘间隙变短甚至直接导通,电阻的阻值下降.此外,正确的三防涂覆工艺能够有效提高电阻在高温高湿的可靠性水平.但是,如果在三防涂覆工艺之前,器件及PCB已经受潮,那么三防涂覆工艺会降低片式厚膜电阻器的长期可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张放		1	0	0.0	0.0
2	王波		1	0	0.0	0.0
3	丁亭鑫		1	0	0.0	0.0