一种硅漂移探测器的优化设计与特性研究

• 作者: 刘瑶光 吴次南 殷华湘 翟琼华 许高博
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体探测器 硅漂移探测器 模拟仿真 测试
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TL814
• 字数: 2712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2020.01.002

摘要

硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析.阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场分布和电子浓度分布,依照仿真结果对器件结构进行优化,并对所研制的器件电学特性进行了测试分析.结果表明,优化后的硅漂移探测器内部漂移电场较为均匀并且电场强度较强,能够满足探测器的设计需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴次南	贵州大学大数据与信息工程学院	43	115	7.0	8.0
2	许高博	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	8	21	3.0	4.0
3	殷华湘	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	11	23	3.0	4.0
7	翟琼华	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	4	1.0	2.0
8	刘瑶光	贵州大学大数据与信息工程学院	1	0	0.0	0.0