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摘要:
区熔硅单晶因其高电阻、高少子寿命的优点,成为电力电子器件制造中不可或缺的半导体材料。本文首先对区熔硅单晶生长的机理进行探究,然后得出了解决多晶棒出刺问题的工艺。
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定向凝固
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 区熔法拉制硅单晶中多晶棒化刺工艺探讨
来源期刊 材料科学 学科 工学
关键词 区熔法 硅单晶 多晶棒 化刺工艺
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 234-237
页数 4页 分类号 TN3
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫志瑞 11 30 2.0 5.0
2 库黎明 6 13 2.0 3.0
3 陈海滨 5 10 2.0 3.0
4 苏冰 7 1 1.0 1.0
5 朱秦发 2 3 1.0 1.0
6 王永涛 6 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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2013(1)
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研究主题发展历程
节点文献
区熔法
硅单晶
多晶棒
化刺工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学
月刊
2160-7613
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
745
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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