气体流动方式对MPCVD金刚石薄膜均匀性的影响

• 作者: 刘繁 汪建华 王振湉 王斌 王蒙 翁俊
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 微波等离子体 气体流场 等离子体发射光谱 金刚石薄膜
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 材料技术
• 页码范围: 108-113
• 页数: 6页
• 分类号: TB383|O484
• 字数: 4012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2020.02.004

摘要

在实验室自主研制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置上,通过改变气体的进出方式,探讨了气体流动方式对金刚石膜均匀性和质量的影响.结果表明:随着Si基片表面气体分子数增多,等离子体中的H原子和CH活性基团强度增强,扩散到基片表面中心的原子H和含碳活性基团增多,基片中心区域的金刚石膜生长速率略微有所提升,由原来的2.5μm/h提高到2.8μm/h,沉积得到的金刚石膜质量和均匀性均得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	翁俊	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	33	102	4.0	8.0
3	刘繁	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	22	74	4.0	8.0
4	王斌	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	王振湉	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	王蒙	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	1	0	0.0	0.0