MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

• 作者: 慕蓉欣 成宇翔 杨浩 段杰 赵万良
• 来源期刊: 导航定位与授时
• 学科: 工学
• 关键词: 封装应力 过渡层 有限元分析 MEMS惯性器件
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 仪表与部件
• 页码范围: 145-154
• 页数: 10页
• 分类号: TH162
• 字数: 3749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19306/j.cnki.2095-8110.2020.02.020

摘要

封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一,封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的.封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外,还与芯片及基底间的过渡层形式有关.不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值,还会对应力的分布情况产生影响.为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响,首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响,并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律.结果 表明,不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵万良		14	20	3.0	3.0
5	段杰		2	1	1.0	1.0
9	成宇翔		5	5	1.0	1.0
13	杨浩		2	0	0.0	0.0
17	慕蓉欣		1	0	0.0	0.0