晶格小失配InGaAsP材料特性及太阳电池应用

• 作者: 张玮 戴宁 李戈 李欣益 胡淑红 陆宏波
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶格失配 InGaAsP MOCVD 太阳电池
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 351-356
• 页数: 6页
• 分类号: O436
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204104.0351

摘要

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池效率的持续提升要求对能量转换材料的带隙宽度进行更细致划分,以实现对全光谱的高效利用.在短波红外波段,四元InGaAsP混晶材料因在带隙宽度和晶格常数的调节上具有很好的可操作性,是一种极具潜力的短波红外光电转换材料.本文对InGaAsP材料生长及子电池器件制备进行了研究,通过时间分辨荧光光谱、高分辨X射线衍射等表征手段对室温下晶格失配的InGaAsP材料进行了测试分析.实验结果表明,在一定程度负失配生长条件下,InGaAsP材料质量随着负失配程度逐渐提高.在后续电池制备过程中,一定程度负失配同样有助于电池器件性能提升,制备的单结电池开路电压由晶格匹配时的633 mV提高到负失配条件下的684 mV,从而为高效多结太阳电池的应用提供了新的技术路线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所	55	315	11.0	15.0
2	胡淑红	中国科学院上海技术物理研究所	10	49	4.0	7.0
3	张玮		2	1	1.0	1.0
4	陆宏波	中国科学院上海技术物理研究所	2	0	0.0	0.0
13	李戈		1	0	0.0	0.0
14	李欣益		1	0	0.0	0.0