基于65 nm标准CMOS工艺的3.0 THz探测器

• 作者: 冯鹏 刘俊岐 刘剑 刘力源 刘朝阳 吴南健 方桐 李媛媛
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 太赫兹 太赫兹成像 太赫兹探测器
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 56-64
• 页数: 9页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 5087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.01.009

摘要

基于Dyakonov和Shur等离子体波振荡原理设计并流片制备了一种采用65 nm标准CMOS工艺的3.0 THz探测器,探测器包括贴片天线、NMOS场效应晶体管、匹配网络及陷波滤波器.探测器在室温条件下可达到526 V/W的响应率(Rv)和73 pW/Hz1/2的噪声等效功率(NEP).采用该探测器和步进电机搭建了太赫兹扫描成像系统,获得了太赫兹源出射光斑的远场形状,光斑的半高宽(FWHM)为240μm;并对聚甲醛牙签和树叶进行了扫描成像实验,结果表明CMOS太赫兹探测器在成像领域有潜在的应用前景.