气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展

• 作者: 张宇峰 景宝堂 袁文宾 钟敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 气相输运沉积 近空间气相输运沉积 化合物薄膜
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 358-362
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4840字
• 语种: 中文

摘要

相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport,CVT)方法,近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition,CSVT)及气相输运沉积(Vapor Transport Deposition,VTD)方法不为人们所熟知.近几年来,气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2 Se3、Sb2 S3及Sb2(Se,S)3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2 Se3、Bi2 Te3)等材料的制备,有可能成为一种重要的材料制备方法.本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜制备的研究进展,对其特点进行分析,并对其发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇峰	渤海大学新能源学院	19	5	2.0	2.0
2	景宝堂	渤海大学新能源学院	1	0	0.0	0.0
6	钟敏	渤海大学新能源学院	6	4	1.0	2.0
10	袁文宾	渤海大学新能源学院	1	0	0.0	0.0