电导增强的10 kV SiC二极管

• 作者: 夏经华 杨霏 查祎英 桑玲 王耀华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电导增强 碳化硅(SiC) 10 kV二极管 pin二极管 高温退火
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 509-513
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.07.001

摘要

为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和电导增强的pn结二极管.通过在多层SiC外延层上刻蚀形成台面的方法,制备了pn结二极管.在此基础上,延长了离子注入后的高温退火处理时间,制备了电导增强的样品.对所制备二极管的正向导通特性进行了测试,并结合仿真的方法对内部载流子分布进行了对比分析.测试结果表明,所制备的SiC pn结二极管相比肖特基二极管样品,比导通电阻降低了90％.延长高温退火处理时间的工艺使器件的正向导通能力进一步改善,电流密度为100 A/cm2时的比导通电阻为7 mQ·cm2,证明了这一处理工艺的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏经华		2	0	0.0	0.0
5	查祎英		2	0	0.0	0.0
9	桑玲		2	0	0.0	0.0
13	杨霏		3	1	1.0	1.0