重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备

• 作者: 张志勤 王刚 米姣 薛宏伟 袁肇耿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅外延片 超高阻 多次本征工艺 低温外延 无HCl抛光 电阻率不均匀性
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 200-205
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.03.005

摘要

超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件.利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层.采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应.同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1 093 Ω·cm,外延层厚度为12.06 μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1 000 Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36％,片内厚度不均匀性为0.5％.外延片已用于批量生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁肇耿		8	36	4.0	6.0
3	薛宏伟		3	6	1.0	2.0
7	米姣		2	0	0.0	0.0
13	王刚		3	3	1.0	1.0
17	张志勤		3	8	2.0	2.0