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摘要:
随着Ⅲ-族氮化物材料与器件技术的不断发展,基于高Al组分氮化物的紫外LED受到广泛关注.本文主要介绍近年来紫外LED在外延、芯片及应用方面的研究进展.紫外LED的量子效率受晶体质量、掺杂效率、光提取等技术难题的制约,还有很大的发展潜力.随着研究的不断深入,紫外LED的性能将进一步提升,并在消毒净化、环境监测、光固化、无创光疗、非视距保密通信等领域得到广泛应用.
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文献信息
篇名 氮化物紫外LED研究与应用
来源期刊 照明工程学报 学科 工学
关键词 紫外LED AlGaN AlN 氮化物发光二极管
年,卷(期) 2020,(1) 所属期刊栏目 本刊特邀
研究方向 页码范围 1-7
页数 7页 分类号 TN36
字数 5774字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-440X.2020.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李晋闽 中国科学院半导体研究所 75 652 13.0 23.0
2 曾一平 中国科学院半导体研究所 85 439 11.0 16.0
3 王军喜 中国科学院半导体研究所 32 155 8.0 10.0
4 闫建昌 中国科学院半导体研究所 8 28 2.0 5.0
5 薛斌 中国科学院半导体研究所 3 13 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
紫外LED
AlGaN
AlN
氮化物发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
照明工程学报
双月刊
1004-440X
11-3029/TM
16开
北京市朝阳区大北窖南厂坡甲3号南楼二层
80-436
1992
chi
出版文献量(篇)
3076
总下载数(次)
7
总被引数(次)
15260
论文1v1指导