基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能

• 作者: 刘云龙 刘婷婷 李淑红 王庆林 王文军 赵玲 都辉 高学喜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热活化延迟荧光材料 TADF-OLED 单空穴器件 阻抗谱
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 77-85
• 页数: 9页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204101.0077

摘要

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势.制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS:x％BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件.研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性.为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V).测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱.结果表明,在最佳掺杂比例(2％)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92％,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37％;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76％;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗.TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力.