高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法

• 作者: 侯爱霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: RTS噪声 SOILDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 234-238
• 页数: 5页
• 分类号: TN36|TN386.1
• 字数: 3493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2020.01.048

摘要

提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法.该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数据进行频谱变换,得到噪声功率谱密度并作分析.实验表明,该测试系统可以有效地获取高k栅介质SOI LDMOS的RTS噪声,具有良好的动态特性,且其本底噪声抑制率较高,较待测信号低两个数量级左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯爱霞	重庆科创职业学院人工智能学院	21	7	2.0	2.0