多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉

• 作者: 樊子民 王嘉博 王晓刚 王行博 裴志辉 邓丽荣 陆树河
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多热源真空合成法 高纯度 高密度 大粒径 3C-SiC微粉
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 颗粒制备
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 5260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13732/j.issn.1008-5548.2020.02.005

摘要

采用多热源真空合成法,以纯度分别为99％(质量分数,以下同)、90.87％的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-SiC微粉.实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响.结果 表明:碳与硅物质的量比为1.05∶1时,合成的3C-SiC微粉SiC的纯度达到99.99％;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-SiC微粉,微粉的平均粒径D50可达21.7 μm;在1 300～1 800℃内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3.212 g/cm3.