基于硫蒸气处理转移的单层二硫化钼的荧光增强

• 作者: 刘玉春 徐颖 王思雨
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 化学
• 关键词: 二硫化钼 化学气相沉积法 硫蒸气处理 硫空位 荧光增强
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 110-116
• 页数: 7页
• 分类号: O613
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20204903.0316002

摘要

采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光检测和拉曼光谱等手段表征了样品的形貌和光致发光性能.结果表明:经过硫蒸气处理转移后的单层MoS2的光致发光强度比由化学气相沉积法制备的未处理的单层MoS2的光致发光强度增强了约5倍.光致发光强度增强是由于在硫蒸气处理过程中,单层MoS2的部分硫空位被硫原子纳米团簇所填补,从而提高了光致发光效率.此外,分别将单层MoS2转移到SiO2/Si衬底、石英、三氧化铝及氟化镁衬底再经过硫处理后,也观察到了类似的荧光增强现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐颖	上海理工大学光电与计算机工程学院集成光机电实验室	7	5	1.0	2.0
2	王思雨	上海理工大学光电与计算机工程学院集成光机电实验室	1	0	0.0	0.0
3	刘玉春	上海理工大学光电与计算机工程学院集成光机电实验室	1	0	0.0	0.0