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InSb晶体生长固液界面控制技术研究
InSb晶体生长固液界面控制技术研究
作者:
刘江高
彭志强
徐兵
李振兴
程波
董涛
贺利军
赵超
陈元瑞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InSb
晶体拉速
晶体转速
坩埚转速
固液界面形状
模拟
摘要:
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验.结果 表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果.获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础.
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篇名
InSb晶体生长固液界面控制技术研究
来源期刊
红外
学科
工学
关键词
InSb
晶体拉速
晶体转速
坩埚转速
固液界面形状
模拟
年,卷(期)
2020,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
8-13
页数
6页
分类号
TN213
字数
2630字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-8785.2020.04.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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赵超
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研究主题发展历程
节点文献
InSb
晶体拉速
晶体转速
坩埚转速
固液界面形状
模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外
主办单位:
中国科学院上海技术物理研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-8785
CN:
31-1304/TN
开本:
大16开
出版地:
上海市玉田路500号
邮发代号:
4-290
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
3030
总下载数(次)
11
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