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摘要:
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验.结果 表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果.获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础.
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文献信息
篇名 InSb晶体生长固液界面控制技术研究
来源期刊 红外 学科 工学
关键词 InSb 晶体拉速 晶体转速 坩埚转速 固液界面形状 模拟
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 8-13
页数 6页 分类号 TN213
字数 2630字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-8785.2020.04.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵超 13 15 2.0 3.0
2 刘江高 4 0 0.0 0.0
3 李振兴 2 1 1.0 1.0
4 徐兵 1 0 0.0 0.0
5 董涛 1 0 0.0 0.0
6 程波 3 9 1.0 3.0
7 陈元瑞 5 14 2.0 3.0
8 彭志强 3 1 1.0 1.0
9 贺利军 2 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
InSb
晶体拉速
晶体转速
坩埚转速
固液界面形状
模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外
月刊
1672-8785
31-1304/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-290
1980
chi
出版文献量(篇)
3030
总下载数(次)
11
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