VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究

• 作者: 兰天平 周春锋 宋禹 边义午
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 垂直梯度凝固法 半绝缘 晶体生长 EL2
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 412-416
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3963字
• 语种: 中文

摘要

为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(V GF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率＞1×108Ω·cm及迁移率＞5×103 cm2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	兰天平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	12	47	4.0	6.0
2	周春锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	25	3.0	5.0
3	边义午	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	0	0.0	0.0
4	宋禹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0