替位和间隙原子N对ZnO电子结构和光学性质的影响

• 作者: 唐顺磊 李晓杰 董明慧
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学性质 电子结构 ZnO 第一性原理
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 302-310
• 页数: 9页
• 分类号: O482.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.02.023

摘要

本文采用密度泛函理论,深入研究了N作为替位和间隙原子对ZnO电子结构和光学性质的影响,结果表明:由于N在八面体间隙位置的形成能小所以更倾向于占据八面体间隙位置;N掺杂ZnO会形成p型半导体;N在间隙位置能够明显的缩小带隙宽度,可以有效的促进ZnO对光的吸收;在可见光区,处于间隙位置的N具有良好的光学吸收谱并且产生明显的红移,这与带隙的变化规律一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董明慧		19	0	0.0	0.0
2	李晓杰		20	4	1.0	2.0
3	唐顺磊		12	0	0.0	0.0