1100kV GIS盆式绝缘子气泡缺陷下的有限元应力分析

• 作者: 伍维健 吴锴 周峻 姜映烨 李永飞 袁端鹏 郝留成
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: GIS盆式绝缘子 应力分布 气泡缺陷
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 绝缘技术
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TM216
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2020.07.010

摘要

建立了1100 kV和252 kV气体绝缘开关设备(GIS)盆式绝缘子的三维模型,基于有限元原理计算分析了绝缘子在不同外部载荷作用下的应力分布特性,并研究了气泡缺陷的位置及尺寸对绝缘子应力分布的影响规律.结果表明:应力最大值随载荷增加呈线性升高趋势;气泡缺陷会使盆式绝缘子相应位置处应力分布发生畸变,造成表面和剖面应力最大值增加,当载荷从0.4 MPa增加到3.2 MPa,最大应力值比无气泡缺陷绝缘子增大了40％～70％;气泡位置和尺寸对局部应力的分布有显著影响,当气泡远离绝缘子根部应力集中部位时,其对应力畸变的影响减弱;相同载荷作用下,1100 kV绝缘子应力最大值高于252 kV绝缘子.