基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟

• 作者: 姜鑫 杜锐 梁世豪 罗伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AFORS-HET 异质结太阳能电池 背场层 缺陷密度
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 422-427
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 2605字
• 语种: 中文

摘要

设计了单层MoS2 (n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子和转化效率的影响.结果 显示,背场层带隙在1.5 ～1.7 eV之间,背场层的掺杂浓度大于1×1018 cm-3时,该结构的太阳能电池有比较稳定的表现.缺陷密度增加时,太阳能电池效率随着缺陷密度的对数线性减小,当控制缺陷密度在1011 cm-3以下时,可以获得大于24.10％的转化效率,缺陷密度为109 cm-3时,可以获得最高29.08％的转换效率.最后研究了背场层对该结构太阳能电池的作用,结果显示有效控制缺陷密度时,背场层的添加对电池效率的提升很明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗伟	东北石油大学电子科学学院	12	71	3.0	8.0
5	姜鑫	东北石油大学电子科学学院	3	0	0.0	0.0
6	梁世豪	东北石油大学电子科学学院	3	0	0.0	0.0
7	杜锐	东北石油大学电子科学学院	3	0	0.0	0.0