多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺

• 作者: 何磊磊 孙伟业 杜欣钊 邓军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二维光栅 微米球刻蚀 量子阱 反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(QWIP)
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TH741
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.01.011

摘要

基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度.采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数.制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构.通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6～9μm.最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	57	219	7.0	10.0
2	孙伟业	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	何磊磊	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	杜欣钊	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0