局部高台阶对注入层全局关键尺寸均匀性的影响

• 作者: 王强 吴庭溪 宋帅迪
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 关键尺寸均匀性 高台阶 注入层 曝光图形 光刻良率
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 电子 信息工程与计算机科学
• 页码范围: 36-41
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.12194/j.ntu.20200423002

摘要

在集成电路制造过程中,注入层高台阶分布状态是注入层光刻胶关键尺寸(critical dimension,CD)均匀性质量优劣的重要影响因素之一.通过对高台阶在晶圆上的分布、疏密程度、台阶宽度及与曝光图形距离的研究,探索了影响高台阶注入层光刻工艺CD均匀性的关键参数,提出了一种优化的版图设计方法.实验结果表明:高台阶的均匀分布有利于提高CD的均匀性;台阶疏密程度对CD均匀性的影响较小;台阶宽度越大,CD的平均值越小,但对3σ值没有明显影响;高台阶距离曝光图形越远,CD的均匀性越好.应用优化的版图设计方法后,改善了器件的CD均匀性和生产的稳定性,光刻CD均匀性提高了约49.4％.