6H-SiC辐照点缺陷诱发化学无序的分子动力学分析

• 作者: 张修瑜 王浩 薛建明 郭寻 陈晓菲
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 点缺陷 化学无序 线性级联碰撞 分子动力学 辐照
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 889-894
• 页数: 6页
• 分类号: O439
• 字数: 4293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20190472

摘要

为配合6H-SiC中化学无序对其导电性能影响的研究,本研究运用经典分子动力学方法,采用LAMMPS软件对6H-SiC的线性级联碰撞过程进行了模拟,给出了在不同能量、不同种类PKA(Primary Knock-on Atom)的情况下,6H-SiC单次线性级联碰撞和多次线性级联碰撞过程中主要点缺陷的演化过程,并统计了多次级联碰撞后化学无序的演化和六种点缺陷各自最终所占的比例.结果表明,级联碰撞产生的Si-Si键比C-C键更易形成且更加稳定,Si-Si键主要由SiC反位缺陷形成,C-C键主要由C间隙原子聚集形成,PKA的种类及初始能量影响点缺陷的产额和化学无序的程度,但不影响六种点缺陷各自的占比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛建明	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	27	100	6.0	9.0
2	王浩	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	35	56	4.0	6.0
3	陈晓菲		3	0	0.0	0.0
4	张修瑜	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	郭寻	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0