变结构反应离子刻蚀腔室流场热场的数值仿真

• 作者: 张景文 李志炜 汉语 范斌
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光学制造 反应离子刻蚀 变结构腔室 流热场分布 滑移区稀薄气体 数值模拟
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 激光物理、材料与器件
• 页码范围: 136-142
• 页数: 7页
• 分类号: TN405.98+2
• 字数: 3716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.01.024

摘要

为了提高刻蚀的均匀性,对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型,研究了反应腔室内压强、流速和温度分布.冷却板恒温285K时,依次改变入口流量和出口压强,分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、温度的分布;依次改变极板间距离(30mm～60mm)、进气口直径(300mm～620mm)、抽气口直径(50mm～250mm),分析了反应腔室内气流和温度分布.结果表明,压强分布呈现出边缘低中心高的特征,流速呈现边缘高且中心低的特征,且在小流量时压强的均匀性较好;压强分布的均匀性随腔室极板间距离增加而有所提高,且随腔室气体出口面积减小与进口面积增加也有所提高;基片晶圆上方附近处温度场大面均匀、稳定,几乎不受入口流量波动变化的影响,热稳定性良好.该研究对大口径RIE腔室结构设计改进及对大口径反应离子刻蚀工艺控制具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张景文	中国科学院光电技术研究所	7	41	3.0	6.0
13	李志炜	中国科学院光电技术研究所	2	1	1.0	1.0
14	范斌	中国科学院光电技术研究所	34	161	7.0	10.0
15	汉语	中国科学院光电技术研究所	4	9	2.0	3.0