集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究

• 作者: 周建伟 张佳洁 张雪 王子艳 王超 王辰伟
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 钌 二氧化硅 化学机械抛光 硫酸铵 2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TG175
• 字数: 2705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2020.01.010

摘要

针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO2-H2O2体系抛光液中研究了(NH4)2SO4和2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率的影响,并使用钌阻挡层图形片对抛光液的平坦化性能进行验证.结果表明,(NH4)2SO4的添加可以提高Cu、Ru和TEOS的去除速率,进一步加入TT后,Cu的去除速率减小,Ru和TEOS的去除速率基本不变.采用由5％(质量分数,下同)SiO2、0.15％H2O2、40 mmol/L(NH4)2SO4和1 g/L TT组成的抛光液对钌阻挡层图形片化学机械抛光30 s后,碟形坑和蚀坑的深度得到了有效降低.