GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

• 作者: 庄玉 李豫东 王保顺 王涛 玛丽娅·黑尼 艾尔肯·阿不都瓦衣提 莫镜辉 郭旗 陈加伟 雷琪琪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀氮 光致发光 电子辐照 GaAsN 退火
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 603-609
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+3|O475
• 字数: 3300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204105.0603

摘要

为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论.结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85％和29％.GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化.GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移.退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化.