安森美半导体推出新的900V和1200V SiC MOSFET用于高要求的应用

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 安森美半导体 太阳能逆变器 宽禁带 MOSFET 充电桩 性能水平 SEMICONDUCTOR
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 5-6
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化硅(SiC)MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si)MOSFET根本无法实现的。