基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

• 作者: 吕金光 张宇 李盼园 李阳 梁静秋 王家先 王维彪 秦余欣 赵永周 郝振东 陶金
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Micro-LED InP/ZnS量子点材料 色转换层 全彩显示器件
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 592-602
• 页数: 11页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 5422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204105.0592

摘要

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案.通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题.量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射.最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层.该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本.