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摘要:
在片微波参数测量系统主要通过探针台建立微波仪器与半导体裸芯片之间的信号连接通道,从而测量半导体裸芯片的微波参数.在片微波参数测量系统对提升芯片的性能,控制质量,保证芯片的一致性和稳定性方面具有重要的意义.国外相关的计量技术与测量系统同步发展,我国由于半导体产业起步较晚,测试系统大多采用进口,相关计量测试技术在过去很长一段时间发展相对缓慢.最近10年我国奋起直追,不断缩小与世界先进水平的差距,目前已经完成40 GHz以内的主要在片微波参数测量系统计量能力.文中回顾了本领域的技术发展历程,介绍国内外技术发展特点,对于进一步发展相关计量技术具有指导意义.
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文献信息
篇名 在片微波参数测量系统计量技术进展
来源期刊 微波学报 学科
关键词 在片测试 裸芯片 S参数 噪声参数 负载牵引
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目 学术论文与技术报告
研究方向 页码范围 95-100
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.14183/j.cnki.1005-6122.202004020
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄先奎 2 9 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
在片测试
裸芯片
S参数
噪声参数
负载牵引
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
微波学报
双月刊
1005-6122
32-1493/TN
16开
南京3918信箱110分箱
1980
chi
出版文献量(篇)
2647
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16115
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