SnSe2的忆阻及磁阻效应

• 作者: 何斌 何雄 刘国强 孙志刚 朱璨 王嘉赋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻 空间电荷限制电流效应 磁阻 载流子局域化
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 302-311
• 页数: 10页
• 字数: 5397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200160

摘要

忆阻和磁阻效应在当前电子信息存储领域都有着广泛的应用.近年来,硫族化合物SnSe2作为一种同时具有忆阻与磁阻效应的存储材料,受到广大科研工作者的关注,该材料的电输运机理的深入探索具有十分重要意义.本文采用熔融法结合放电等离子烧结技术成功制备了高纯度的SnSe2块体材料,测量了不同温度、不同磁场条件下的电流-电压特性曲线,系统地研究了其忆阻与磁阻效应.研究表明:不同温度下的忆阻特征可被归结为缺陷控制下的空间电荷限制电流效应;温度降低导致忆阻现象减弱,这与低温下杂质电离较弱导致可接受注入载流子的缺陷变少从而空间电荷限制电流效应变弱有关.同时发现,样品在低温下呈现较大的负磁阻效应,这是因为在低温下杂质散射占主导作用,电子在传导时会受到杂质的多重散射导致载流子局域化,负磁阻效应与磁场对载流子局域化的抑制作用有关;随着温度升高,散射机制逐渐由杂质散射转变为晶格散射为主,负磁阻效应逐渐转变为正磁阻效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙志刚	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	18	87	4.0	9.0
2	何雄	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	9	3	1.0	1.0
3	王嘉赋	武汉理工大学理学院	12	36	4.0	6.0
4	何斌	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	刘国强	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	3	6	1.0	2.0
6	朱璨	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0