AgBiS2/Bi2S3分子印迹光电化学传感器用于测定残杀威

• 作者: 李建平 李秀琪 石小雪 魏小平
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 分子印迹 光电化学传感器 残杀威 AgBiS2/Bi2S3复合材料 农药残留
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 396-404
• 页数: 9页
• 字数: 5117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19756/j.issn.0253-3820.191608

摘要

构建了一种基于AgBiS2/Bi2S3的分子印迹光电化学传感器,用于杀虫剂残杀威的检测.采用溶剂热法,在钛片基底上合成AgBiS2/Bi2 S3复合材料.以残杀威为模板分子,邻苯二胺为功能单体,通过电聚合在修饰AgBiS2/Bi2 S3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜,可对残杀威产生特异性识别.残杀威与印迹孔穴特异性结合后,阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面,导致光电流降低,据此进行残杀威的检测.残杀威浓度的对数值与光电流在1.0×10-12～5.0×10-10mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.3×10-13 mol/L.将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测,加标回收率介于101.0％ ～103.1％之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室	80	403	11.0	16.0
2	魏小平	桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室	26	104	6.0	8.0
3	石小雪	桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	李秀琪	桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室	1	0	0.0	0.0